Zonele n+ constituie electrozii sursa (S), repectiv drena (D)
Electrodul poarta/grila (G) este dispus pe un strat izolant de oxid
Electrodul substrat/bulk (B) este pe spatele substratului
Combinatia Metal(electrodul G)- Oxid (izolantul de poarta)- Semiconductor
(substratul) constituie structura MOS (fig.1.1)
La MOS cu canal indus, nu exista canal care sa conecteze zonele n+
Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.