BTM II - subiecte examen

A. PURIFICARE. CRISTALE

1. Ce este coeficientul de segregatie? Cum depinde valoarea acestui coeficient de parametrii tehnologici?

B. CVD. EPITAXIE

1.

(a) Ce este stratul limita?

(b) Cum influenteaza stratul limita cinetica proceselor de crestere epitaxiala si de oxidare termica?

2.

(a) Ce este stratul limita?

(b) Dati exemple de procese pentru a caror explicare s-a folosit conceptul de strat limita.

3. Presupunand un caz unidimensional scrieti relatia care da redistribuirea profilului concentratiei de impuritati din substrat si stratul epitaxial.

4. Ce este si cum se realizeaza conservarea accidentelor de relief la cresterea epitaxiala CVD a siliciului?

5. Ce este si de ce este necesara conservarea reliefului suprafetei plachetei in procesul de crestere epitaxiala?

6. Ce este epitaxia cu fascicul molecular? Dati o descriere de principiu a instalatiei tehnologice, indicand parametrii tehnologici accesibili tehnologului.

7. Ce deosebire exista intre Si3N4 si nitrura care se obtine printr-un proces de depunere CVD?

8. Care sunt conditiile de depunere conforma intr-un proces CVD?

9. Ce este sticla de fosfor? Ce este curgerea sticlei de fosfor?

C. METALIZARI

1. Cum depinde valoarea timpului mediu intre defectari a unui traseu de metalizare din Al de intensitatea curentului care il parcurge si de temperatura la care se afla?

2. Indicati valorile tipice ale rezistentei pe patrat pentru straturile de Al, siliciu poli si silicide.

D. OXIDARE

1. Schitati si justificati modul in care depinde concentratia la suprafata in functie de presiunea partiala a vaporilor compusului de impuritate din atmosfera de langa placheta.

2. In SiO2 coeficientul de difuzie al O2 este mai mare decat coeficientul de difuzie al H2O. Totusi viteza de crestere a oxidului termic in O2 uscat este mai mica decat in vapori de apa. De ce?

3. Explicati ce inseamna legea liniara si legea parabolica la oxidarea termica

4. Care este rolul HCl in oxidare. Care sunt aplicatiile oxidarii in prezenta HCl.

5. Comparati oxidarea termica cu depunerea CVD de oxid.

(a) Avantaje si dezavantaje.

(b) Care sunt diferentele importante intre oxidul termic si oxidul depus?

6. Care sunt diferentele importante intre oxidul termic si oxidul depus?

7. Fie o placheta plana acoperita cu un oxid termic de grosime uniforma XFI = 1 ?m. Dupa ce in stratul de oxid se deschide o fereastra placheta este supusa unui proces de oxidare termica in O2 uscat la temperatura T = 1100?C avand o durata t = 1 h. Procesul de oxidare este caracterizat de ,,constantele" B = 3?10 2 ?m2/h si B/A = 3?10 1 ?m/h.

(a) Sa se determine grosimea finala a oxidului de camp (XFF) si grosimea oxidului in fereastra (XWF).

(b) Sa se schiteze pe acelasi grafic sectiunea prin structura inainte si dupa oxidare. Ca nivel de referinta se va considera nivelul suprafatei plachetei inainte de oxidare.