Scd Lucrarea Nr 20

1. Scopul lucrarii: in lucrare sunt testate un circuit basculant monostabil si un circuit basculant astabil, ambele realizate cu tranzistoare bipolare, cu cuplaje colector baz; se urmareste masurarea formelor de unda in diferite puncte ale montajelor (amplitudine, durat, fronturi), dependenta impulsurilor generate de elementele circuitului precum si experimentarea unor circuite de declansare a circuitului basculant monostabil.

2. Circuitul basculant monostabil cu cuplaj colector-baza are schema de principiu reprezentat in fig. 20. 1, iar formele de unda rezultate in diferite puncte, in urma aplicarii unui impuls de declansare, sunt reprezentate in fig. 20. 2. In starea stabil (de asteptare), tranzistorul T2 este in conductie (deoarece are baza cuplat la un potential pozitiv, Vcc, prin rezistenta Rb), de obicei, la saturatie, iar tranzistorul T1 este blocat datorita tensiunii de iesire V0 care are o valoare mica, VCEsat si datorita tensiunii de polarizare VBB (negative). Aceast stare este conditionata de relatiile: In starea cvasistabil, obtinut in urma unui impuls de declansare care provoaca schimbarea starii tranzistoarelor, tranzistorul T2 este blocata datorita saltului de tensiune, negativ, de pe baza sa, transmis din colectorul tranzistorului T1 prin capacitatea C, iar tranzistorul T1 este in saturatie. Pentru ca tranzistorul T1 sa functioneze la saturatie, este necesara indeplinirea conditiei: In starea cvasistabil, capacitatea C se incarca de la sursa de alimentare Vcc prin rezistenta Rb si prin tranzistorul T2 saturat si determin variatia tensiunii de pe baza tranzistorului T2 dup legea: VB2 (t) = Vcc + (VBE - 2Vcc) exp (-t/ () (20. 4) cu: (= Crb (20. 5) Prin creterea tensiunii pe baza tranzistorului T2, se va atinge tensiunea de deschidere a acestuia; in urma deschiderii tranzistorului T2, tranzistorul T1 iese si el din saturatie si se inchide bucla de reactie pozitiv din circuit care duce la revenirea in starea initiala. Durata impulsului generat se calculeaza cu relatia: Impulsul de la iesirea circuitului (considerat la colectorul tranzistorului T2) va avea amplitudinea: si frontul crescator: tf+ (2, 3 (C1Rc2 (20. 8) Capacitatea C1, cuplat in paralel pe rezistenta R1, are rolul de a accelera procesele de comutare ale tranzistorului T2. Timpul de revenire al schemei, necesar pentru reincarcarea capacitatii C si pus in evidenta pe tensiunea din colectorul tranzistorului T1, va fi: trev (2, 3 nc1C (20. 9) 3. Micsorarea timpului de revenire al schemei se face prin micsorarea rezistentei de colector Rcl (micsorare limitat de indeplinirea conditiei de saturatie a tranzistorului T1), prin divizarea rezistentei Rc1 in doua rezistente inseriate (dar se micsoreaza si durata impulsului), prin introducerea unui circuit de limitare a excursiei de tensiune pe colectorul tranzistorului T1 (dar se micsoreaza amplitudinea impulsului disponibil la aceasta iesire si durata ...