Tranzistorul este un dispozitiv avand o structura de tip n-p-n sau p-n-p, la care regiunea din mijloc, adica baza trebuie sa fie foarte subtire si putin dotata cu impuritati. Se considera a nota cu E-emitorul, cu B-baza si C-colectorul.
Tranzistoarele bipolare se fabrica pe baza germaniului, siliciului si arsenurii de galiu. Cea mai larga utilizare o are germaniul si siliciu. Metodele tehnologice permit de a fabrica tranzistorul in asa mod ca sa se realizeze intr-o masura oarecare cerintele pentru parametrii maximi admisibili.
La etapa actuala se utilizeaza urmatoarele metode de fabricare ale tranzistoarelor: metoda de aliere, metoda de difuzie, metoda planara, epitaxial-planara si mesa-planara.
Tranzistorul KT-209 reprezinta un tranzistor din siliciu (Si) de tip p-n-p. Tranzistorul dat se fabrica prin metoda epitaxial - planara.
Metoda epitaxial-planara se bazeaza pe metoda planara. Deci, pentru inceput vom analiza metoda planara de fabricare a tranzistoarelor.
Se i-a o placheta de monocristal din siliciu (Si) tip-n (care in structura rezultanta va reprezenta colectorul). Pe aceasta placheta peste prima masca de oxid se efectueaza difuzia acceptorului (de obicei bor) si se primeste stratul p al bazei. Apoi peste a doua masca se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. In sfarsit cu ajutorul celei de-a treia masti de oxid se conecteaza contactele ohmice din aluminiu la toate cele trei straturi si in continuare sunt lipite la aceste contacte contacte subtiri care joaca rolul de picioruse ale tranzistorului.
In cazul tehnologiei epitaxial-planare, dintre regiunile bazei si a colectorului se creeaza un strat de rezistenta inalta si de aceeasi conductibilitate ca si colectorul.
Acest strat se obtine prin asa numita depunere epitaxiala a unei pelicule subtire de monocristal de o rezistenta inalta pe o suprafata de cristal ce serveste ca corp al colectorului. Regiunile bazei si a emitorului se obtin de obicei prin difuzia locala. Structura unui tranzistor obtinut prin metoda epitaxial-planara este aratata in fig.1.
Fig.1 Structura unui tranzistor.
2. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.
Daca in calitate de caracteristici statice ale tranzistorului sa alegem dependentele functionale dintre doua marimi din patru, cu conditia ca una din doua se va mentine constanta, atunci se poate de primit douasprezece familii de caracteristici diferite, pentru fiecare din trei scheme de cuplare. Desigur ca in practica este ireal de a folosi asa un numar de curbe legate intre ele. Legatura dintre curenti si tensiuni in tranzistor, se face prin patru familii de caracteristici, alegerea caror, este data de aplicarea rationala in practica si este legata de sistema parametrilor-h, care si este cel mai des utilizata. In calitate de caracteristici statice ale tranzistorului se folosesc:
- Familia caracteristicilor de intrare
Pentru a descărca acest document,
trebuie să te autentifici in contul tău.
