Tranzistorul bipolar KT-925

Tranzistorul bipolar este numit dispozitivul semiconductor din trei electrozi, care dispun de doua jonctiuni (fig.1). In tranzistor in dependenta de tipul conductibilitatii lui avem trei regiuni. In dependenta de ordinea regiunilor avem doua tipuri de tranzistoare: de tip n-p-n sau p-n-p. Principiul lor de functionare este acelasi.

Prima regiune este dopata cu impuritati mai mult decit celelalte doua si aceasta este numita - emitor. Regiunea din mijloc este numita baza, iar a treia regiune - colector. Destinatia principala a colectorului este extragerea purtatorilor de sarcina din baza, de aceea dimensiunile lui sunt mai mari ca cale ale bazei. Jonctiunea dintre emitor si baza este numita jonctiunea emitorului, iar dintre colector si baza - jonctiunea colectorului.

Fig.1

Tranzistorul KT-925 este tranzistor bipolar de tip n-p-n. In continuare vom analiza metoda de fabricare a acestui tranzistor.

Pentru fabricarea tranzistorului KT-925, se foloseste metoda epitaxial - planara. Insa, pentru a intelege aceasta metoda, vom analiza pentru inceput metoda planara, caci aceasta este nemijlocit de prima.

Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea ca toate straturile sunt realizate pe una si aceeasi parte a plachetei, de aceea si electrozii sunt plasati pe aceeasi parte.

Masca in forma de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidarii termice a suprafetelor de siliciu, care poseda urmatoarele proprietati:

1. Masca de oxid este legata organic cu suprafata plachetei, avand un contact trainic cu ea, ceea ce exclude patrunderea difuzorului in locul dintre masca si suprafata.

2. Grosimea mastii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru apararea partilor respective a plachetei impotriva atomilor ce difuzeaza.

3. Stratul d oxid in acelasi timp cu functia de mascare indeplineste si functia de aparare (inseamna si a p-n jonctiunii, care iese la suprafata) de la influienta diferitor factori externi. In cazul, tehnologiilor de aliere si mesa pentru asta este nevoie de a folosi metode speciale de protectie.

In continuare vom prezenta ciclul de fabricare a tranzistorului prin metoda planara. Se ea o placheta din Si tip-n, care in structura rezultanta joaca rolul de colector. Pe aceasta placheta peste prima masca de oxid se efectueaza difuzia acceptorului (de obicei bor) si se primeste stratul p al bazei. Apoi peste a doua masca se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. In sfarsit cu ajutorul celei de-a treia masti de oxid se conecteaza contactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi si in continuare sunt lipite la aceste contacte sarmulite subtiri care joaca rolul de picioruse ale tranzistorului.

In varianta considerata placheta este aleasa cu o rezistenta destul de mare, pentru a asigura o tensiune de strapungerea a jonctiunii colectorului necesara.

Tranzistoarele epitaxial - planare. Structura tranzistorului fabricat prin metoda epitaxial - planara este data in fig.2.

Acestea sunt continuarea tranzistoarelor planare. Metoda epitaxial - planara se foloseste pentru micsorarea capacitatii de bariera a jonctiunii colectorului, rezistentei colectorului si micsorarea timpului de acumulare a sarcinii in regiunea colectorului. La fabricarea acestor tranzistoare epitaxial - planare placa colectorului semiconductoare, de exemplu cu conductabilitate prin electroni are o rezistenta mica. Pe ea se va depune o pelicola de acelasi semiconductor, dar cu o rezistenta foarte mare, dupa aceasta se formeaza regiunile bazei si emitorului prin metoda planara.

Fig.2

Tranzistorul fabricat prin tehnologia epitaxial - planara

Procesul de primire a stratului, care pastreaza structura plastinei, nu are conductabilitate se va numi depunere epitaxiala. Structura primita n+-n intra in componenta colectorului. Semnul ,,+" indica regiunea a unei concentratii mai mari, adica o conductibilitate mai mare.

In tranzistorul dat la rezistenta mica a colectorului avem o capacitate mica Cc si o tensiune majora Ucbmax. Tehnologia epitaxiala larg se utilizeaza la fabricarea microcircuitelor. Prin metoda epitaxial - planara se confectioneaza tranzistoarele de frecventa inalta, de frecventa foarte inalta, de putere mica, medie si mare.

Un interes aparte il constituie tranzistoarele

1. ?.?. ?????? <<?????? ????????????????>>

2. ????? ?.?. ,,??????????? ???????" - ?.:???????, 1977.

3. C????????? ?.?. ,,?????? ?????? ????????????" - ?.:???????, 1977.

4. <<??????????? ???????>> ??? ????????? ?.?. ???????