Amplificatoarele de unde milimetrice de banda larga se aplica in general in realizarea blocurilor de amplificare in comunicatiile prin satelit si sisteme radar, in sistemele de transmisie de date prin fibra optica si in aparatura de banda larga.
Principala diferenta intre amplificatoarele obisnuite si amplificatoarele cu structura distribuita este aceea ca ultimele pot avea benzi de frecvente mari de zeci chiar sute de GHz.
Realizarea amplificatoarelor de microunde in structura distribuita este o tehnica prin intermediul careia produsul castig - banda al unui amplificator poate fi imbunatatit.
Prin aceasta abordare, capacitatile de intrare si iesire ale tranzistoarelor sunt combinate cu bobine concentrate pentru a forma linii artificiale de transmisiuni.
Functionarea acestor linii artificiale nu este independenta, datorita transconductantei tranzistoarelor. Amplificatorul poate fi proiectat sa ofere un raspuns uniform in banda, atat la frecvente mici cat si la frecvente mari.
Topologia amplificatoarelor distribuite permite implementarea acestora ca circuite integrate in tehnologia MMIC, bobinele fiind modelate cu linii de transmisiune.
In aplicatiile practice ale unui amplificator de microunde cu structura distribuita trebuie alese cu grija o serie de variabile, cum ar fi modelul tranzistoarelor, numarul etajelor, impedantele caracteristice ale liniilor de drena si de poarta, frecventa de taiere a liniei de transmisiuni, pentru a reusi raspunsul in frecventa si castigul in putere dorite.
Amplificatoarele de microunde cu structura distribuita folosesc etaje cu tranzistoare, cele folosit fiind cele cu efect de camp (MESFET). In lucrarea de fata de vor face analize atat analitice cat si de simulare a amplificatoarelor de microunde cu structura distribuita.
In capitolul I intitulat Analiza amplificatorului cu structura distribuita, se prezinta analiza teoretica a amplificatorului cu structura distribuita, schema echivalenta a amplificatorului, schema echivalenta a tranzistorului cu efect de camp din compunerea amplificatorului, schemele echivalente ale circuitelor de poarta si de drena, relatii de calcul ale tensiunii de comanda a amplificatorului, a curentului de iesire, ale castigului amplificatorului, atenuarilor pe linia de poarta si de drena cu reprezentarea grafica a acestora, raspunsul in frecventa al amplificatorului, produsul castig banda.
In cadrul lucrarii de fata de utilizeaza programul de calcul si analiza Mathcad, cu ajutorul caruia s-au executat si graficele analitice.
Pentru simulari se foloseste programul de analiza a circuitelor de microunde Touchstone.
In capitolul II intitulat Prezentarea metodei numerice de analiza si proiectare a amplificatoarelor de microunde cu structura distribuita, se face efectiv proiectarea amplificatorului, dandu-se si doua exemple de proiectare, unul cu liniile de drena si de poarta compuse cu ajutorul inductantelor, altul cu liniile in tehnologie coplanara, facandu-se si o comparatie intre cele ...
Y. IMAI, S. KIMURA, Y. UMEDA, T. ENOKI - "NEW DISTRIBUTED AMPLIFIER DESIGN USING TRANSMISION - GATE FETS" - IEEE MICROWAVE GUIDED WAVE LETTERS, VOL. 5, NO. 10, PAG. 357 - 359, OCTOBER 1996
J. PUSL - "CAPACITIVE - DIVISION TRAVELING - WAVE AMPLIFIER WITH 340GHZ GAIN - BANDWIDTH PRODUCT" - IEEE MTT - S DIGEST, PAG. 1661 - 1664, 1995
B. J. MINNIS - "THE TRAVELLING WAVE MATCHING TEHNIQUE FOR CASCADABLE MMIC AMPLIFIERS" - IEEE TRANSACTION ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 42, NO. 4, APRIL 1994
J. B. BEYER - "MESFET DISTRIBUTED AMPLIFIER DESIGN GUIELINES" - IEEE TRANSACTION ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. MTT - 32, NO. 3, PAG. 268 - 275, MARCH 1984
T. EDWARDS - "FOUNDATIONS FOR MICROSTRIP CIRCUIT DESIGN" - JOHN WILEY SONS LTD. , 1981
GH. CARTIANU, M. SAVESCU, I. CONSTANTIN - "SEMNALE, CIRCUITE SI SISTEME" - EDITURA DIDACTICA SI PEDAGOGICA, BUCURESTI, 1980
SIMA ION, ROTARIU COSTEL, VASILESCU LAURENTIU - "TEHNICA MICROUNDELOR IN ECHIPAMENTE DE TRANSMISIUNI" - EDITURA ACADEMIA MILITARA, BUCURESTI, 1989
Pentru a descărca acest document,
trebuie să te autentifici in contul tău.
