Previzualizare licența:

Cuprins licența:

INTRODUCERE 4
CAPITOLUL I
NOTIUNI INTRODUCTIVE ASUPRA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE PUTERE SI A CONVERTOARELOR STATICE
1.1. Notiuni introductive asupra dipozitivelor semiconductoare de putere 6
1.2. Clasificarea dispozitivelor semiconductoare de putere 9
1.3. Pierderi in dispozitive semiconductoare de putere 12
1.4. Definirea si structura convertoarelor electronice de putere 14
1.5. Clasificarea convertoarelor electronice de putere 16
CAPITOLUL II
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
2.1. Tipuri de diode de putere 22
2.1.1 Dioda de putere 25
2.1.2 Dioda Schottky 25
2.1.3 Dioda FRED (Fast Recovery Epitaxial Diode) 25
2.2. Tiristorul 27
2.2.1. Clasificarea tiristoarelor 27
2.2.2. Structura si caracteristica statica tensiune-curent 30
2.2.3. Constructia tiristorului 32
2.2.4. Caracteristicile dinamice 33
2.2.4.1. Amorsarea tiristorului 34
2.2.4.2. Protectia tiristoarelor legate in paralel 38
2.3. Triacul 40
2.4. Tiristorul cu blocare pe poarta GTO (Gate Turn-Off) 43
2.4.1 Comanda tiristoarelor GTO 44
2.5 Tranzistorul bipolar de putere 45
2.5.1. Structura tranzistorului 46
2.5.2. Caracteristicile tranzistoarelor 46
2.6 Tranzistorul MOSFET de putere 47
2.6.1 Structura. Polarizare 48
2.6.2 Caracteristica statica 49
2.6.3 Caracteristici dinamice 51
2.6.3.1. Intrarea in conductie 51
2.6.3.2. Iesirea din conductie 53
2.7. Tranzistorul bipolar cu poarta izolata -IGBT , 54
2.7.1 Functionare.Caracteristica statica 56
2.7.2 Autoamorsarea 57
2.7.3 Caracteristici dinamice. Circuite de comanda pe poarta 59
2.7.4 Circuite de protectie 60
2.8 Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor MCT) 61
CAPITOLUL III
COMUTATIA STATICA
3.1.Principiul deconectarii sincronizate 63
3.2.Principiul comutatiei hibride 65
3.3.Principiul comutatiei statice 67
3.4.Circuite de stingere 69
3.5.Contactoare statice de curent continuu 71
3.6.Contactoare statice de curent alternativ 74
3.7.Intreruptoare statice 77
CAPITOLUL IV
VARIATOARE DE CURENT ALTERNATIV
4.1Variatoare de curent alternativ.Consideratii teoretice 81
4.1.1 Generalitati 81
4.1.2 Variatoare de c.a. monofazate 82
4.1.3 Caracteristici externe de comanda in curent si in putere 87
4.1.4 Variatoare de c.a. trifazate 88
4.1.5 Alte montaje de variatoare de c.a. monofazate si trifazate 94
4.2 Aplicatia practica a variatorului de curent alternativ trifazat.Descrierea schemei 99
4.3 Simularea aplicatiei practice 102
4.4 Realizarea practica 107
CAPITOLUL V
Concluzii 110
Bibleografie 112
Anexe 113

Extras din licența:

Ca urmare a uriaselor progrese facute in ultima perioada in descoperirea de noi dispozitive electronice, pe de o parte, iar pe de alta parte, datorita metodelor si tehnicilor aparute in sistemele de conversie a energiei electrice, electronica de putere este un domeniu care a cunoscut o mare si rapida dezvoltare.

Dispozitivele semiconductoare de putere (diode, tranzistori, tiristoare, etc.) asociate cu dispozitivele auxiliare (blocuri de comanda, radiatoare de disipatie, circuite RC de protectie) permit realizarea convertoarelor statice.

Convertoarele statice sunt echipamente statice complexe care sunt utilizate pentru comutatia, comanda, reglarea, si conversia energiei electrice. Convertoarele statice de putere sunt amplasate intre sursa de energie si consumator (receptor), avand rolul de a modifica parametrii energiei furnizate (tensiune, curent, frecventa, numar de faze) in functie de cerintele consumatorului. De asemenea se intalnesc convertoare statice conectate intre doua surse cu frecvente diferite, pentru a face posibila functionarea acestora. In electronica de putere, convertoarele statice asigura transmisia unor puteri importante (de la cateva 100 W ajungand pana la 1000MW) incat pentru ca pierderile pe acestea sa fie cat mai mici este necesar ca dispozitivele semiconductoare de putere, din constructia lor, sa functioneze in comutatie.

Dispozitivele semiconductoare utilizate in electronica de putere sunt bazate pe structuri cu trei sau mai multe jonctiuni care au cunoscut o larga dezvlotare pe plan mondial. In prezent exista o gama variata de asemenea dispozitive (tiristoare, triacuri, diacuri etc.) gama lor fiind intr-o continua dezvoltare. Avand in vedere caracteristicile comune acestor dispozitive, caracteristici bazate pe propietatile structurii de trei jonctiuni, tip pnpn, ele sunt incadrate intr-o categorie speciala de dispozitive semiconductoare denumita dispozitive cu mai mult de doua jonctiuni sau dipozitive multijonctiune.

Lucrarea ,,Variator de tensiune trifazat cu semiconductoare de putere" este conceputa ca o lucrare de sunteza, care isi propune ca scop prezentarea functionarii, caracteristicilor, parametrilor si aplicatiilor diferitelor dispozitive semiconductoare de putere precum si conversia energiei electrice utilizand convertoare statice.

Capitolul 1 contine notiuni de teorie a dipozitivelor semiconductoare de putere si a convertoarelor statice.

In Capitolul 2 se doreste prezentarea celor mai utilizate dispozitive electronice in electronica de putere actuala. Va fi analizata structura semiconductoare a acestora, schema echivalenta a dispozitivelor complexe, caracteristicile statice, caracteristicile dinamice, zona de functionare sigura etc. Aceste principale dispozitive sunt : dioda de putere, tiristorul, triacul, tiristorul GTO, tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul bipolar cu grila izolata IGBT, tranzistorul MOS de putere, tiristorul controlat MOS MCT.

Capitolul 3 prezinta comutatia statica in mod amanuntit, principalele moduri de comutatie oprindu-se apoi numai la comutatia statica.

Capitolul 4 se ocupa cu exemplificarea pe un model practic a unei scheme de contactor static. Cu aceiasi schema se va face o simulare a modului de functionare. Mai este inclusa o anexa in care sunt prezentate datele tehnice ale principalelor piese componente.

Capitolul 5 e rezervat concluziilor si bibliografiei.

CAPITOLUL I

NOTIUNI INTRODUCTIVE ASUPRA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE PUTERE SI A CONVERTOARELOR STATICE

1.1. Notiuni introductive asupra dipozitivelor semiconductoare de putere

O categorie importanta de dispozitive semiconductoare larg folosite in electrotehnica, automatica si electronica industriala o constituie dispozitivele multijonctiune, care au la baza structura pnpn, propusa de William Bradford Shockley in anul 1950. Modelul echivalent al dispozitivului pnpn, a fost elaborat de Ebers si este bazat pe utilizare a doua tranzistoare complementare. Primele dispozitive pnpn din siliciu au fost elaborate sub conducerea si indrumarea lui J.L.Moll de o grupa de colaboratori ai firmei Bell Telefon Laboratory. Principiul de actiune c

Bibliografie:

1. Maricel Adam, Adrian Baraboi - Electronica de putere; editura Venus Iasi 2004

2. Adrian Baraboi, Maricel Adam, Ioan ciuntea, Eugen Hnatiuc - Tehnici moderne in comutatia statica; editura A92

3. E Damachi-Dispozitive semiconductoare multijonctiune; Editura Tehnica Bucuresti;1980

4. Viorel Popescu- Electronica de Putere; Editura de Vest; Timisoara 2005

5. Ilie Mircea Babaita-Dispozitive si echipamente de comanda a actionarilor electrice; Editura de Vest; Timisoara 2005

6. Mihai Albu-Electronica de Putere; Editura Venus; Iasi 2007

7. Schema electrica a montajului : http://www.engr.mun.ca/~tariq/Threephase.pdf

8. Andrei P. Silard - Tiristoare cu plocare pe poarta GTO; editura Tehnica

9. http://www.alldatasheet.co.kr/datasheet-pdf/pdf_kor/27236/TI/MOC3021.html

10. http://www.datasheetsite.com/datasheet/BT139-800

11. www.elforum.ro

Download gratuit

Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.

Înregistrare Autentificare

Structură de fișiere:

Electronica de putere.doc

Alte informații:

Tipuri fișiere:: doc
Diacritice:: Da
Nota:: 10/10 (1 voturi)
Nr fișiere:: 1 fisier
Pagini (total):: 113 pagini
Imagini extrase:: 113 imagini
Nr cuvinte:: 28 533 cuvinte
Nr caractere:: 180 696 caractere
Marime:: 3.61MB (arhivat)
Publicat de:: Anonymous A.
Nivel studiu:: Facultate
Tip document:: Licența
Domeniu:: Electrotehnică
Tag-uri:: electronica, electrotehnica

Predat:: la facultate
Materie:: Electrotehnică