Prin montarea a douå jonc¡iuni semiconductoare în opozi¡ie, se ob¡ine un tranzistor (figura 3). Dacå cele trei regiuni semiconductoare sunt succesiv de tip n-p-n, tranzistorul este de tip npn (secven¡a p-n-p genereazå un tranzistor de tip pnp). Cele trei regiuni se numesc corespunzåtor emitor,bazå, colector. Prima jonc¡iune (realizatå la contactul bazå-emitor) este polarizatå în sens direct ¿i se nume¿te jonc¡iune bazå-emitor. A doua jonc¡iune (la contactul bazå-colector) este polarizatå invers ¿i se nume¿te jonc¡iune bazå-colector.
¥n urma polarizårii directe a emitorului, în circuit apare un curent propor¡ional cu tensiunea U aplicatå. Purtåtorii genera¡i vor trece prin bazå, din emitor în colector (fårå pierderi substan¡iale, deoarece baza este foarte sub¡ire ¿i deci recombinarea în ea este neglijabilå). Electronii injecta¡i din emitor, vor genera deci în colector un curent de difuzie dat de:
(1)
unde e0 = 1,6×10-19 C este sarcina electronului, I0 valoarea curentului de satura¡ie la polarizare inverså, T temperatura absolutå(în Kelvin) iar k este constanta Boltzmann. Logaritmând rela¡ia de mai sus, ob¡inem:
Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.
