Scopul lucrării: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare şi ieşire ale tranzistorului bipolar conectat după schema bază comună.
Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune curent continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.
Mersul lucrării:
Lansăm programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.
Experienţa 1. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amper de intrare.
Construim circuitul de mai jos
Figura 1. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.
Tastăm pentru ca prin circuit să curgă curentul.
Schimbând cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistenţa scade, tastele <shift>-<R> rezistenţa se măreşte) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 până la 0,9 V, ridicăm caracteristica de intrare a tranzistorului Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 în cazul când comutatorul este deconectat). Datele experimentale le introducem în tabelul 1.1
Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcţia CVA de intrare.
Tensiunea de intrare Ueb , V Ucb = 0 V Ucb = 5 V Ucb = 10 V
Ie , mA Ie , mA Ie , mA
0 0 0 0
0,1 0 0 0
0,2 0 0 0
0,3 0.000001 0.000002 0.000003
0,4 0.00002 0.000104 0.000106
0,5 0.001 0.005621 0.006177
0,6 0.03964 0.2031 0.2332
0,7 1.18 5 6.768
0,8 16.23 77.27 77.79
0,9 49.66 243 247
Experienţa 2. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amper de ieşire.
Construim circuitul de mai jos:
Figura 2. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.
Tastăm pentru ca prin circuit să curgă curentul.
Schimbând tensiunea (Ucb) de la 0 până la 10V, ridicăm ramura directă a caracteristicii de ieşire a tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 şi 30 mА. Datele experimentale le introducem în tabelul 1.2
Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.
Tensiunea de intrare Ucb , V Ie = 10 mA Ie = 20 mA Ie = 30 mA
Ic , mA Ic , mA Ic , mA
0 9.829 19.87 30.02
1 9.834 19.88 30.03
2 9.839 19.88 30.04
3 9.844 19.89 30.04
4 9.849 19.89 30.05
5 9.854 19.9 30.05
6 9.859 19.9 30.06
7 9.864 19.91 30.06
8 9.869 19.91 30.07
9 9.874 19.92 30.07
10 9.879 19.92 30.08
După datele obţinute în rezultatul măsurărilor trasăm caracteristicile de intrare şi ieşire.
Experienţa 3. Determinăm următorii parametri:
Rezistenţa de intrare a tranzistorului
Rint=∆Ueb/∆Ie;
Rezistenţa de ieşire a tranzistorului
Ries=∆Ucb/∆Ic;
Coeficientul de amplificare al tranzistorului
α=∆Ic/∆Ie
Concluzie:
În această lucrare de laborator,am studiat metodele de ridicare şi ieşire ale tranzistorului bipolar conectat după schema baza comună.
În cadrul acestei conectări,curentul de intrare este ,adică curentul emitorului ,
iar curentul de ieşire este ,adică curentul colectorului
În experienţa I,am măsurat datele experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amperice de intrare.Am construit circuitul conexiunea baza comună a tranzistorului bipolar şi schimbînd cu rezistorul variabil tensiunea de intrare am ridicat caracteristica de intrare a tranzistorului la tensiunea colectorului Am obţinut datele experimentale,pe care le-am indicat în tabel.
În a doua experienţă,am măsurat datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.Am schimbat tensiunea în circuit,astfel ridicînd ramura directă a caracteristicii de ieşire a tranzistorului pentru curentul emitorului Am introdus datele în tabel.
Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.