2.1. Scopul lucrării: studierea proceselor fizice în generatorul cu excitaţie externă (GEE, care funcţionează cu contur acordat şi dezacordat), familiarizarea cu metoda de determinare a parametrilor de bază pentru GEE.
2.2. Noţiuni generale.
În fig.2.1 sunt prezentete familiile de caracteristici statice pentru un tranzistor de tip n-p-n în scheme de emitor comun. Potenţialul colectorului este pozitiv faţă de emitor. Caracteristicile tranzistorului de tip p-n-p sunt identice cu excepţia polarizării sursei de alimentare EC.
Fig.2.1
Pe caracteristicile statice putem accentua următoarele regiuni:
- regiunea de blocare, cînd ambele joncţiuni sunt închise, iar curenţii colectorului şi al bazei sunt determinaţi de curenţii de scurgere. Practic putem afirma că aceşti curenţi nu sînt;
- regiunea activă, cînd joncţiunea colectorului este închinsă, iar a emitorului – deschisă. În aşa regim de funcţionare pentru schema cu emitor comun curentul bazei dirijează cu curentul colectorului şi tranzistorul posedă proprietăţi de amplificare după tensiune şi curent.
- Regiunea de saturaţie, cînd ambele joncţiuni sunt deschise. Curentul colectorului este determinat de tensiunea sursei de alimentare EC şi nominalul rezistenţei sarcinii RS şi nu depinde de curentul bazei. În această regiune coeficientul de amplificare al tranzistorului se micşorează.
- Regiunea de spargere. La valori ale tensiunii eC mai mari ca eCadm are loc spargerea termică a joncţiunii colectorului.
În fig.2.1 sunt prezentate caracteristicile intrare şi transfer (a) şi de ieşire (b) ale tranzistorului cuplat cu emitor comun. Liniile punctate indică caracteristicile idealizate.
2.3. Sarcina de laborator:
În fig.2.2 este prezentată schema machetei de laborator. Ea este construită în aşa mod, ca semnalele de bază să fie analizate cu ajutorul osciloscopului.
Utilizînd aparatele de măsură, să se determine:
- unghiul de blocare pentru curentul colectorului şi curentul bazei în regim critic:
Imax=58 mA, θ=930 sau 1,61 rad;
- unghiul de blocare de sus al curentului colectorului în regim supraexcitant:
Imax=90 mA, θ=1090 sau 1,90 rad;
- coeficientul de utilizare al tensiunii colectorului;
- puterea de ondulaţie în contur;
- puterea folosită de la sursa de alimentare;
- randamentul GEE în regim critic;
- parametrii optimi de funcţionare pentru GEE analizat.
UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI
FACULTATEA RADIOELECTRONICĂ
CATEDRA TELECOMUNICAŢII
Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.