Scopul lucrării
Studierea experimentală a caracteristicii curent-tensiune (CCT) ale diodelor semiconductoare și a dependenței lor de temperatură; determinarea parametrilor de bază a diodei semiconductoare conform CCT.
Noțiuni teoretice
Diodă semiconductoare este numit dispozitivul electronic cu două borne, pe baza căruia este formată joncțiunea p-n. Una din regiuni, numită emitor, posedă concentrația purtătorilor de sarcină mai mare decât cealaltă, numită bază.
Procesul de introducere a purtătorilor de sarcină prin joncțiunea p-n (când bariera de potențial este micșorată prin acțiunea câmpului electric exterior) poartă denumire de injecție a purtătorilor de sarcină. La polarizare inversă a joncțiunii p-n are loc extragerea purtătorilor de sarcină din regiunea unde ei sunt minoritari. Acest proces se numește extracție a purtătorilor de sarcină.
Ecuația statică a caracteristicii curent-tensiune a diodei ideale este:
I=I_0∙e^(qU/kT)
unde I_0 este curentul de scurgere; U – tensiunea aplicată; k – constanta lui Boltzmann; T – temperatura absolută.
Schema instalației
Ual – sursa de alimentare
UTS – termostat
mA – miliampermetru
V – voltmetru
VD1 – dioda nr.1
VD2 – dioda nr.2
SA1 – comutator
Tabele cu date
Polarizare directă
VD1 VD2
t,℃
23 45 65 t,℃
23 45 65
U_dir,V
I,mA
U_dir,V
I,mA
1 0,59 1,4 2,4 2,9 0,28 0,8 1,2 1,4
2 0,64 2,6 4,2 5,7 0,6 3,9 6,2 6,6
3 0,68 4,8 7,1 9,1 0,9 8,3 12,8 13,7
4 0,72 7,8 11,6 15,7 1,2 13,1 21 22
5 0,76 12,7 11,7 23 1,5 19,1 29,9 32,2
6 0,78 16,8 23,8 30,6 1,7 23,1 36 36,8
7 0,8 21,4 35,4 41 1,8 25,1 40 -
8 0,83 29,7 - - 1,93 27,8 - -
Polarizare indirectă
VD1 VD2
t,℃
23 45 65 t,℃
23 45 65
U_indir,V
I,mA
U_indir,V
I,mA
1 5 0 0 0,001 5 0,015 0,015 0,08
2 10 0,001 0,001 0,001 10 0,022 0,022 0,11
3 15 0,001 0,002 0,002 15 0,028 0,028 0,14
4 20 0,002 0,002 0,002 20 0,033 0,033 0,16
Ministerul Educației al Republicii Moldova
Universitatea Tehnică a Moldovei
Catedra Telecomunicații
Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.
