Diode Semiconductoare

DIODE SEMICONDUCTOARE

În lucrare sunt mãsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare, rezultatele obtinute fiind comparate cu relatiile analitice teoretice. Este de asemenea analizatã comportarea diodelor în regim dinamic, semnal mic, joasã frecventã.

1.1 OBSERVATII TEORETICE

Diodele semiconductoare studiate în aceastã lucrare sunt dispozitive formate dintr-o jonctiune p-n. Simbolul electric si mãrimile electrice asociate sunt prezentate în figura 1.1. Analizând fenomenele fizice care apar într-o jonctiune p-n idealã când se aplicã o tensiune din exterior, se deduce relatia de legãturã D( D) i v pentru o diodã semiconductoare

.... (1.1)

unde: I0 este curentul de saturatie al diodei, g este un coeficient care ia valori între 1 si 2.

Polarizarea directã

Pentru > 0 D v , dioda este polarizatã direct si curentul depinde exponential de tensiune. Astfel, pentru v ( ) kT q D > 3...4 g , relatia (1.1) devine

.... (1.2)

Prin logaritmarea relatiei (1.2) se obtine

.... (1.3.)

În planul ( ) D D lg i , v relatia (1.3) este reprezentatã printr-o dreaptã. În urma mãsurãtorilor se confirmã acest lucru, însã pânã la anumite valori ale curentului D i , dupã cum este ilustrat în figura 1.2.

Reprezentarea la scarã logaritmicã a dependentei ( ) D D i v permite determinarea parametrului I0 prin extrapolare pânã la = 0 D v , iar prin calcularea contrapantei se obtine valoarea lui g

.... (1.4)

La curenti mari, la bornele diodei apare o tensiune mai mare decât cea rezultatã din relatiile (1.2) sau (1.3) datoritã rezistentei materialului adiacent jonctiunii, Rs

.... (1.5)