1. Scopul lucrarii este studiul unor circuite de comanda a tranzistoarelor bipolare de putere si a retelelor de protectie necesare.
2. Consideratii teoretice
2.1. Circuitele pentru comanda tranzistoarelor bipolare de putere sunt relativ mai complicate decat dispozitivele de comanda de uz general, in primul pentru ca factorul de amplificare scazut al tranzistoarelor bipolare de putere duce la curenti de ordinul sutelor de miliamperi sau chiar de ordinul amperilor, si al doilea rand deoarece este necesara polarizarea negativa pe baza pentru blocarea rapida si cu pierderi reduse a tranzistorului de putere. Circuitul de comanda cu doua surse de polaritati diferite (comanda bipolara) este prezentat in figura 1.
Fig. 1 Circuit de comanda bipolara a TBP
Pentru deschiderea tranzistorului de putere, tranzistorul intern din comparator trebuie sa se blocheze, iar pentru blocarea tranzistorului de putere, tranzistorul intern din comparator se va deschide. De multe ori in serie cu baza tranzistorului bipolar de putere se conecteaza un grup RC paralel numit circuit de accelerare.
In scopul cresterii performantelor la blocare se pot aduce imbunatatiri prezentate in schema de mai jos. Dioda notata cu DAS este numita dioda antisaturatie si are rolul de limitare a saturatiei prin mentinerea tensiunii VCE usor deasupra pragului de saturatie VCEsat. In acest mod se micsoreaza pierderile prin comutatie si timpul de stocare, crescand frecventa de lucru.
Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.