Laserei pe Semiconductori

Se utilizeaza urmatoarele materiale semiconductoare:

Nr. Stratul activ Stratul de invelis Baza

Grupul III - V

1 AlxGa1-xAs AlyGa1-yAs GaAs

2 GaInAsP GaInP GaAs

3 GaInAsP AlGaAs GaAs

4 GaInAsP InP InP

5 AlGaAsSb AlGaAsSb GaSb

Grupul IV - VI

6 PbSnSeTe PbSnSeTe PbTe

Grupul II - VI

7 ZnSSe GaAs

Intervalul de lungimi de unda ale radiatiei laserului

Rezonatorul Fabry - Perout este creat prin aschierea cristalului din ambele parti. Structura laserului este cu mai multe straturi. Stratul activ se gaseste intre alte doua straturi cu coeficient de refractie mai mic.

- Lungimea rezonatorului ;

- Grosimea stratului activ ;

- Latimea stratului activ ;

- Coeficientul de reflexie al oglinzilor ,

,

unde - coeficientul de refractie al stratului activ.

Pentru GaAs: ; Atunci

- Factorul de calitate ;

- Curentul de prag